文中主要是有關(guān)光藕的有關(guān)詳細介紹，并主要對達林頓管光藕汽車(chē)繼電器的四種接線(xiàn)方法開(kāi)展了詳細的論述。

　　達林頓管

　　達林頓管便是2個(gè)三極管接在一起，旋光性只認之前的三極管。實(shí)際接線(xiàn)方法以下，以2個(gè)同樣旋光性的三極管為例子，前邊三極管集電結跟后邊三極管集電結相連，前邊三極管發(fā)射極跟后邊三極管基極相連，前邊三極管輸出功率一般比后邊三極管小，前邊三極管基極其達林頓管基極，后邊三極管發(fā)送極其達林頓管發(fā)射極，使用方法跟三極管一樣，變大倍率是2個(gè)三極管放大倍率的相乘。

　　達林頓管基本原理達林頓管又被稱(chēng)為鋼絲網(wǎng)骨架。他將2個(gè)三極管串連，以構成一只等效電路的新的三極管。這只等效電路三極管的擴大倍率是原二者之積，因而它的特征是變大倍率十分高。達林頓管的功效一般是在高精度的運算放大器中變大十分細微的數據信號，如功率大的電路。在電力電子技術(shù)電路原理中，達林頓管接線(xiàn)方法常見(jiàn)于功率放大電路和可調穩壓電源中。鋼絲網(wǎng)骨架構成標準 ［1］ 在合理的另加工作電壓下，每只晶體三極管均工作中在擴大區。第一個(gè)部件的集電結電流量或射極電流量作第2個(gè)元器件的基極電流量，真正電流的方向一致。等效電路晶體三極管的類(lèi)別是第一個(gè)正本的種類(lèi)。

　　達林頓管光藕汽車(chē)繼電器的四種接線(xiàn)方法

　　　　達林頓管電源電路有四種接線(xiàn)方法：NPN NPN，PNP PNP，NPN PNP，PNP NPN

　　前二種是同旋光性接線(xiàn)方法，后二種是異旋光性接線(xiàn)方法。NPN NPN的同旋光性接線(xiàn)方法：B1為B，C1C2為C，E1B2接在一起，那麼E2為E。這兒也說(shuō)一下異旋光性接線(xiàn)方法。以NPN PNP為例子。設前一三極管T1的三極其C1B1E1，后一三極管T2的三極其C2B2E2。達林頓管的接線(xiàn)方法應是：C1B2該接一起，E1C2該接一起。等效電路三極管CBE的引腳，C=E2，B=B1，E=E1（即C2）。等效電路三極管旋光性，與前一三極管同樣。即是NPN型。

　　PNP NPN的接線(xiàn)方法與該類(lèi)同。

　　NPN PNP

　　同極型達林頓管三極管

　　NPN PNP 等效電路一只三極管

　　異極型達林頓管三極管

　　達林頓管的常見(jiàn)運用

　　1、用以功率大的電路、電機調速、整流電路。

　　2、推動(dòng)小型繼電器

　　運用CMOS電源電路歷經(jīng)達林頓管推動(dòng)高靈敏汽車(chē)繼電器的電源電路，如右上圖所顯示。斜線(xiàn)框中是小輸出功率NPN達林頓管FN020。

　　3、推動(dòng)LED智能化顯示器

　　LED智能化顯示器是由微型機操縱，以L(fǎng)ED引流矩陣板作表明的系統軟件，可以用來(lái)表明多種文本及圖案設計。該體系中的行控制器和列控制器均可選用高β、快速低電壓降的達林頓管。圖2是用BD683（或BD677）型中輸出功率NPN達林頓管做為列控制器，而用BD682（或BD678）型PNP達林頓管作行控制器，操縱8×8LED引流矩陣板上對應的行（或列）的清晰度發(fā)亮。

　　應特別注意的是，達林頓管因為內部由多個(gè)管道及電阻器構成，用數字萬(wàn)用表檢測時(shí)，be結的正反面向電阻值與一般三極管不一樣。針對快速達林頓管，有一些管道的前面be結還反串聯(lián)一只鍵入二極管，這時(shí)候測到be結正反面向電阻器電阻值很貼近，非常容易誤分辨為壞管，一定要注意。

　　4、分辨達林頓管等效電路為什么類(lèi)別的三極管：

　　最先看一下第一只要是啥種類(lèi)的，第一只要是啥種類(lèi)的，那麼這只達林頓管便是哪些種類(lèi)的，與第二只不相干！更為關(guān)鍵的是，要分辨2個(gè)晶體三極管能不能產(chǎn)生達林頓管重要需看電流量，假如工作中電流量矛盾，則不可以組成達林頓管構造。還可以依據PNP或是NPN管的標識來(lái)分辨，實(shí)際上其本質(zhì)上三極管上所標底箭頭符號也是其運行電流量的流入。

　　達林頓管典型性運用

　　1、用以功率大的電路、電機調速、整流電路。

　　2、推動(dòng)小型繼電器

　　運用CMOS電源電路歷經(jīng)達林頓管推動(dòng)高靈敏汽車(chē)繼電器的電源電路，如右上圖所顯示。斜線(xiàn)框中是小輸出功率NPN達林頓管FN020。

　　3、推動(dòng)LED智能化顯示器

　　LED智能化顯示器是由微型機操縱，以L(fǎng)ED引流矩陣板作表明的系統軟件，可以用來(lái)表明多種文本及圖案設計。該體系中的行控制器和列控制器均可選用高β、快速低電壓降的達林頓管。圖2是用BD683（或BD677）型中輸出功率NPN達林頓管做為列控制器，而用BD682（或BD678）型PNP達林頓管作行控制器，操縱8×8LED引流矩陣板上對應的行（或列）的清晰度發(fā)亮。

　　應特別注意的是，達林頓管因為內部由多個(gè)管道及電阻器構成，用數字萬(wàn)用表檢測時(shí)，be結的正反面向電阻值與一般三極管不一樣。針對快速達林頓管，有一些管道的前面be結還反串聯(lián)一只鍵入二極管，這時(shí)候測到be結正反面向電阻器電阻值很貼近；非常容易誤分辨為壞管，這一一定要注意

　　4、分辨達林頓管等效電路為什么類(lèi)別的三極管：

　　最先看一下第一只要是啥種類(lèi)的，第一只要是啥種類(lèi)的，那麼這只達林頓管便是哪些種類(lèi)的，與第二只不相干！更為關(guān)鍵的是 要了解一下這兩只要組成的達林頓管能否正常的工作中，假如工作中電流量矛盾，則立即否認這只要。

　　達林頓管歸類(lèi)檢驗

　　1．一般達林頓管的檢查方式

　　一般達林頓管內部由二只或多個(gè)晶體三極管的基極聯(lián)接在一起復合型而成，其基極B與發(fā)射極E中間包括好幾個(gè)發(fā)射結。檢驗時(shí)可應用數字萬(wàn)用表的R×1k或R×10k檔來(lái)精確測量。

　　精確測量達林頓管各電級中間的正、反方向阻值。一切正常時(shí)，集電結C與基極B中間的正方向阻值（測NPN管時(shí)，黑電筆接基極B；測PNP管時(shí)，黑電筆接集電結C）值與一般硅晶體三極管集電結的正方向阻值相仿，為3~10kΩ中間，反方向阻值為無(wú)窮。而發(fā)射極E與基極B中間的的正方向阻值（測NPN管時(shí)，黑電筆接基極 B；測PNP管時(shí)，黑電筆接發(fā)射極E）是集電結C與基極B中間的正、反方向阻值的2~3倍，反方向阻值為無(wú)窮。集電結C與發(fā)射極E中間的正、反方向阻值均應貼近無(wú)窮。若測出達林頓管的C、E極間的正、反方向阻值或BE極、BC極中間的正、反方向阻值均貼近0，則表明該管已穿透毀壞。若測出達林頓管的 BE極或BC極中間的、反方向阻值為無(wú)窮，則表明該管已斷路毀壞。

　　2. 功率大的達林頓管的檢驗

　　功率大的達林頓管在一般達林頓管的根基上提升了由續流二極管和釋放電阻器構成的防護電源電路，在精確測量時(shí)要留意這種電子器件對檢測信息的危害。

　　用數字萬(wàn)用表R×1k或R×10k檔，精確測量達林頓管集電結（集電結C與基極B中間）的正、反方向阻值。一切正常時(shí)，正方向阻值（NPN管的基極接黑直流電流表時(shí)）應較小，為1~10kΩ，反方向阻值應貼近無(wú)窮。若測出集電結的正、反方向阻值均較小或均為無(wú)窮，則表明該管已穿透短路故障或引路毀壞。

　　用數字萬(wàn)用表R×100檔，精確測量達林頓管發(fā)射極E與基極B中間的正、反方向阻值，標準值均為好幾百歐母至好幾千歐母（實(shí)際數據信息依據B、E極中間二只電阻的電阻值不一樣而有一定的差別。比如，BU932R、MJ10025等型號規格功率大的達林頓管B、E極中間的正、反方向阻值均為600Ω上下），若測出電阻值為0或無(wú)窮，則表明被測管損壞。

　　用數字萬(wàn)用表R×1k或R×10k檔，精確測量達林頓管發(fā)射極E與集電結C中間的正、反方向阻值。一切正常時(shí)，正方向阻值（測NPN管時(shí)，黑電筆接發(fā)射極E，紅直流電流表接集電結C；測PNP管時(shí)，黑電筆接集電結C，紅直流電流表接發(fā)射極E）應是5~15kΩ（BU932R為7kΩ），反方向阻值應是無(wú)窮，不然是該管的C、E極（或二極管）穿透或引路毀壞。

　　通用性與達林頓管型光耦合器區別

　　在通用性光耦合器中，信號接收器是一只硅光學(xué)半導體材料管，因而在B-E中間只有一個(gè)硅PN結。達林頓管型要不然，它由鋼絲網(wǎng)骨架組成，2個(gè)硅PN結串連成鋼絲網(wǎng)骨架的發(fā)射結。依據上述區別，非常容易將通用性與達林頓管型光耦合器區別起來(lái)。具體做法是，將數字萬(wàn)用表?yè)苤罵&TImes;100檔，黑電筆接B極，紅直流電流表接E極，選用載入工作電壓法求出發(fā)射結正方向工作電壓VBE。若VBE=0.55～0.7V，便是達林頓管型光耦合器。

　　案例：用500型數字萬(wàn)用表的R&TImes;100檔各自精確測量4N35、4N30型光耦合器的VBE

　　型號規格 RBE（Ω） n`（格） VBE（V） 計算方法 檢測結果

　　4N35 850 23 0.69 VBE=0.03n（V） 通用性

　　4N30 4.3k 40.5 1.215 VBE=0.03n`（V） 達林頓管型

　　通用性與達林頓管型光耦合器的關(guān)鍵差別是接受管的電流量放大系數不一樣。前面一種的hFE為幾十倍至十幾倍，后面一種可以達到數千倍，二者相距1～2個(gè)量級。因而，只需精確精確測量出hFE值，就可以區別。在精確測量時(shí)要常見(jiàn)問(wèn)題：

　?。?）由于達林頓管型光耦合器的hFE值很高，因此表桿2次偏移格數十分貼近。精確讀取n1、n2的格數是本方式根本所在，不然將造成很大的偏差。除此之外，歐母零點(diǎn)亦應事前調準。

　?。?）若4N30中的發(fā)射管毀壞，但接受管未看到常見(jiàn)故障，則可替代超β管應用。同樣，假若4N35中的接受管完好無(wú)缺，也能作一般硅NPN晶體三極管應用，完成變廢為寶。

　?。?）針對無(wú)基極導線(xiàn)的通用性及達林頓管型光耦合器，本方式不會(huì )再可用。提議選用測電流量傳送比CTR的辦法多方面區別。

　　總結

　　有關(guān)光電耦合器的有關(guān)講解就到這了，若有存在的不足熱烈歡迎糾正。